Menu
Your Cart

FDT1600N10ALZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR

FDT1600N10ALZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR
FDT1600N10ALZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2077

  • SKU: A338457
  • Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
  • Modelis: FDT1600N10ALZ
  • Svars: 0.10g
1,32€
Bez PVN: 1,09€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,93€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,93€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,73€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,73€
34 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,58€
34 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,58€
93 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,55€
93 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,55€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,53€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,53€
1
Ražotājs ON SEMICONDUCTOR
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 3.5A
Jaudas izkliede 10.42W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT223
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 160mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: FDT1600N10ALZ