Menu
Your Cart

DMG6602SVT-7; Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 30/-30V; 1.112W; DIODES INCORPORATED

DMG6602SVT-7; Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 30/-30V; 1.112W; DIODES INCORPORATED
DMG6602SVT-7; Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 30/-30V; 1.112W; DIODES INCORPORATED
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1248

  • SKU: A317166
  • Zīmols: DIODES INCORPORATED
  • Modelis: DMG6602SVT-7
  • Svars: 0.02g
0,51€
Bez PVN: 0,42€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,36€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,21€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,18€
164 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
450 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,11€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,11€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
1
Ražotājs DIODES INCORPORATED
Drenāžas avota spriegums 30/-30V
Drenāžas strāva 2.8/-3.4A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 1.112W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOT26
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N/P-MOSFET
Transistora veids complementary
Valsts pretestība 0.06/0.095Ω
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: DMG6602SVT-7