Menu
Your Cart

Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate; WeEn Semiconductors; BT131-600E.412

Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate; WeEn Semiconductors; BT131-600E.412
Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate; WeEn Semiconductors; BT131-600E.412
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2253

  • SKU: A642818
  • Zīmols: WeEn Semiconductors
  • Modelis: BT131-600E,412
  • Svars: 0.21g
0,29€
Bez PVN: 0,24€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,26€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,23€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,20€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,17€
134 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,15€
368 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
5000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,13€
1
Ražotājs WeEn Semiconductors
Type of thyristor triac
Iepakojuma veids bulk
Korpuss TO92
Maks. impulsa strāva uz priekšu 12.5A
Maks. izslēgts spriegums 0.6kV
Maks. slodzes strāva 1A
Montāža THT
Pusvadītāju ierīču iezīmes sensitive gate
Tehnoloģija 4Q
Vārtu strāva 10mA
Atslēgvārdi: BT131-600E.412