,
Menu
Your Cart

GD35PJY120L3S; Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0; STARPOWER SEMICONDUCTOR; GD35PJY120L3S

GD35PJY120L3S; Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0; STARPOWER SEMICONDUCTOR; GD35PJY120L3S
GD35PJY120L3S; Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0; STARPOWER SEMICONDUCTOR; GD35PJY120L3S
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.09.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 15

  • SKU: A896481
  • Zīmols: starpower semiconductor
  • Modelis: GD35PJY120L3S
  • Svars: 43.57g
55,33€
Bez PVN: 45,72€
1
Ražotājs STARPOWER SEMICONDUCTOR
Elektriskā montāža Press-in PCB
Impulsa kolektora strāva 70A
Kolektora strāva 35A
Korpuss L3.0
Maks. izslēgts spriegums 1.2kV
Mehāniska montāža screw
Moduļa tips IGBT
Pusvadītāju struktūra diode/transistor
Tehnoloģija Advanced Trench FS IGBT
Topoloģija boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: GD35PJY120L3S