
GD35PJY120L3S; Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0; STARPOWER SEMICONDUCTOR; GD35PJY120L3S
- Pieejamība: Pasūtīt uz 10.09.2025
- Piegādātāja noliktavā: 15
- SKU: A896481
- Zīmols: starpower semiconductor
- Modelis: GD35PJY120L3S
- Svars: 43.57g
55,33€
Bez PVN: 45,72€
1 | |
Ražotājs | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Elektriskā montāža | Press-in PCB |
Impulsa kolektora strāva | 70A |
Kolektora strāva | 35A |
Korpuss | L3.0 |
Maks. izslēgts spriegums | 1.2kV |
Mehāniska montāža | screw |
Moduļa tips | IGBT |
Pusvadītāju struktūra | diode/transistor |
Tehnoloģija | Advanced Trench FS IGBT |
Topoloģija | boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge |
Vārtu-izstarotāju spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
GD35PJY120L3S