GD35PJY120L3S; Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0; STARPOWER SEMICONDUCTOR; GD35PJY120L3S
- Pieejamība: Pasūtīt uz 28.10.2025
- Piegādātāja noliktavā: 14
- SKU: A896481
- Zīmols: starpower semiconductor
- Modelis: GD35PJY120L3S
- Svars: 43.57g
55,33€
Bez PVN: 45,72€
| 1 | |
| Ražotājs | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Elektriskā montāža | Press-in PCB |
| Impulsa kolektora strāva | 70A |
| Kolektora strāva | 35A |
| Korpuss | L3.0 |
| Maks. izslēgts spriegums | 1.2kV |
| Mehāniska montāža | screw |
| Moduļa tips | IGBT |
| Pusvadītāju struktūra | diode/transistor |
| Tehnoloģija | Advanced Trench FS IGBT |
| Topoloģija | boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge |
| Vārtu-izstarotāju spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
GD35PJY120L3S