,
Menu
Your Cart

BT131-800E,412; Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate; WeEn Semiconductors; BT131-800E.412

BT131-800E,412; Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate; WeEn Semiconductors; BT131-800E.412
BT131-800E,412; Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate; WeEn Semiconductors; BT131-800E.412
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.09.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 4707

  • SKU: A795748
  • Zīmols: WeEn Semiconductors
  • Modelis: BT131-800E,412
  • Svars: 0.21g
0,65€
Bez PVN: 0,54€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,57€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,49€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,41€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,33€
139 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
381 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,13€
1
Ražotājs WeEn Semiconductors
Type of thyristor triac
Iepakojuma veids bulk
Korpuss TO92
Maks. impulsa strāva uz priekšu 12.5A
Maks. izslēgts spriegums 0.8kV
Maks. slodzes strāva 1A
Montāža THT
Pusvadītāju ierīču iezīmes sensitive gate
Tehnoloģija 4Q
Vārtu strāva 10mA
Atslēgvārdi: BT131-800E.412