,
Menu
Your Cart

ZXMN6A11DN8TA; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.6A; 1.25W; SO8; DIODES INCORPORATED

ZXMN6A11DN8TA; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.6A; 1.25W; SO8; DIODES INCORPORATED
ZXMN6A11DN8TA; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.6A; 1.25W; SO8; DIODES INCORPORATED
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 31.10.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 9

  • SKU: A557559
  • Zīmols: DIODES INCORPORATED
  • Modelis: ZXMN6A11DN8TA
  • Svars: 0.50g
1,19€
Bez PVN: 0,99€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,89€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,89€
41 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,49€
41 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,49€
111 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,46€
111 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,46€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,44€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,44€
1
Ražotājs DIODES INCORPORATED
Drenāžas avota spriegums 60V
Drenāžas strāva 2.6A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 1.25W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET x2
Valsts pretestība 0.18Ω
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: ZXMN6A11DN8TA